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鄭州科探儀器設(shè)備有限公司

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產(chǎn)品信息

直流負壓濺射和直流濺射有什么區(qū)別

2025-07-01 05:00:01  988次瀏覽 次瀏覽
價 格:面議

直流負壓濺射和直流濺射在直流濺射中,帶正電的離子被吸引到接地的、帶負電的濺射靶上,從靶材上濺射出原子,然后這些原子在樣品(也稱為襯底)上沉積形成薄膜。通常情況下,濺射靶被接到正極,而樣品端(襯底)被接到負極或接地。

然而,有些情況下(如反濺射或偏壓濺射),樣品端會被接到正極以吸引多余的離子,從而實現(xiàn)清潔襯底表面或形成離子轟擊確保薄膜和基底的結(jié)合強度。這種電源連接方式可以提高薄膜的層內(nèi)應(yīng)力,改善其結(jié)晶性能,以及提高薄膜沉積效率。

這種操作需要一定的注意事項,因為樣品端上高電壓可能會導(dǎo)致放電,影響設(shè)備的穩(wěn)定性和薄膜的質(zhì)量,還有可能對樣品造成損壞。根據(jù)具體的設(shè)備設(shè)計和操作要求,可能需要在樣品端和電源之間添加一個抗電弧裝置來降低這種風(fēng)險。

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